摘要

本发明公开了一种场发射阴极及其制备方法和应用。本发明场发射阴极包括导电基板和依次形成于所述导电基板表面的石墨烯层和二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层。本发明场发射阴极制备方法包括在导电基板表面形成石墨烯层的步骤和在石墨烯层表面电泳形成二硫化钼和/或二硫化钨纳米片层的步骤。本发明场发射阴极的开启电场低,发射电流大;发射电流的稳定性高。其制备方法保证了场发射阴极的性能稳定,降低了其生产成本。